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高K金属栅极
高K金属栅极
长鑫存储攻克漏电难题：高K金属栅极技术助其冲刺1a级节点
中国DRAM厂商长鑫存储近日宣布在DRAM晶体管中引入高K金属栅极技术。这项突破性进展不仅解决了制程微缩带来的漏电问题，更为向更先进的1a级节点演进铺平道路。据业内人士透露，该技术已开始应用于G4代DRAM制程及LPDDR5X产品。
DRAM技术
高K金属栅极
存储芯片
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2026-08-28
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