路透社报道，三星电子和SK海力士正加速升级中国工厂，计划在中国生产超过200层的NAND闪存芯片。这两家韩国企业此前因美国出口管制政策陷入困境，如今通过与华盛顿方面密切磋商，逐步推进技术升级。
三星西安工厂目前生产约200层NAND芯片，占其全球产量40%。该公司正在改造该工厂，目标是2027年前将月产量从5000片晶圆提升至4万片。SK海力士大连工厂则计划转向生产240层以上产品，目前该厂主要生产192层芯片。
市场数据显示，中国本土企业长江存储今年第二季度NAND闪存市场份额已达38.5%，超过三星和SK海力士。三星在海外销售最高达286层芯片，SK海力士则销售321层产品。两家公司均表示升级符合美国出口管制规定，但未提及扩大产能。
SK海力士正就美国建厂计划与特朗普政府接洽，同时寻求在大连开展300层芯片研发。该工厂2021年收购英特尔NAND业务后，成为其唯一制造基地，现正筹备IPO。两家公司均强调，升级旨在满足全球客户需求，尤其是美国市场。
在地缘政治压力下，韩国半导体巨头正通过技术升级维持竞争力。中国市场的技术突破与产能扩张，或将重塑全球存储芯片产业格局。
