2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）正式实现量产。这一突破性进展同步展示了基于该平台打造的LPDDR5X大容量新品，标志着中国存储技术迈入全球顶尖梯队。
G5平台在关键工艺上实现多项创新，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球顶尖量产水平。通过新材料和工艺流程革新，存储电容深宽比达到45:1，核心功能区高度缩小至6762纳米。这些突破使每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。
两款基于G5平台的LPDDR5X新品单颗容量达24Gb，较上一代提升50%。产品采用496Ball和245Ball封装规格，可适配中高端手机和便携设备。目前两款产品已进入规模量产阶段，为全球电子设备提供更高性能存储方案。
长鑫存储表示将持续推进技术迭代，开发更高性能存储产品。这次突破不仅提升产品能效和成本控制优势，更彰显中国存储企业在全球供应链中的竞争力。有源区半间距等数据存在正常测量偏差，具体参数以实际产品为准。
