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三星台积电携手推进High NA EUV量产 2028年DRAM量产

ASML今日宣布与三星电子、台积电等企业达成合作，将共同推动High NA EUV光刻技术从6英寸掩膜向12英寸掩膜转型。这项技术升级旨在提升光刻机生产效率、降低制造成本，同时解决当前方案存在的“半场”拼接问题。

半导体制造光刻技术三星电子台积电芯片制程

1 2026-09-08

华虹宏力扩建无锡12英寸产线月增5.5万片产能

华虹宏力半导体9月2日宣布，通过联合多家机构对无锡华虹宏力三期项目增资，新建一条月产能5.5万片的12英寸特色工艺产线。这项投资将公司注册资本从668万元增至41.7亿美元，其中华虹方出资21.267亿美元。

半导体制造产能扩张无锡基地芯片短缺存储器芯片

- 2026-09-04

AI重塑内存行业周期美光CEO称需求将长期增长

美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉近日公开表示，人工智能正彻底改变内存行业的周期性规律。他直言"没有内存就没有人工智能"，强调AI系统对高性能内存的依赖让整个行业价值逻辑发生根本性转变。

人工智能内存芯片半导体制造美光数据中心

1 2026-08-21

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