全球利基型存储IDM龙头华邦电子近日宣布，提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产计划。原本分两期推进的二三期工程，将整合为Module B工厂同步开发。该厂预计2027年动工建设无尘室，最快2029年初进入装机阶段。
此次扩产直接源于代理式AI（Agentic AI）带来的强劲需求。机构分析指出，AI持续推升存储容量与先进封装需求，相关成长趋势预计将持续较长时间。已有客户提前洽谈2029年和2030年的产能配额，显示出市场对华邦未来产能的高度关注。
高雄厂Module B将覆盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap）等多条产品线，支持14纳米及未来12纳米DRAM制程。后续规划导入EUV设备，强化技术竞争力。华邦表示将依据客户需求预测和长期协议分阶段推进设备导入，而非一次性满产。
市场表现方面，机构指出华邦电第三季利基型DRAM与SLC NAND呈现供不应求，价格季涨幅约50%；NOR Flash因云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅约30%。尽管第四季价格涨幅预计收窄至2%～5%，但受益于DRAM产能增加及出货量成长，机构预估华邦电营收及获利仍有望维持季增走势。
华邦电子的扩产策略正契合市场需求，未来增长可期。
