近日，SK海力士对外披露了下一代HBM（高带宽内存）的先进封装技术路线。在Hot Chips 2026大会上，公司封装工程副总裁Jaesik Lee表示，SK海力士正借助英特尔EMIB等先进封装技术打造下一代HBM解决方案，未来将进入3D封装阶段。
HBM是当前AI芯片不可或缺的关键组件。它的结构由3D堆叠组成，通过硅通孔（TSV）将多个DRAM核心芯片连接到基底裸片，目前最高已实现16层堆叠，即16-Hi。HBM与GPU虽然是独立的芯片，但通过2.5D封装被安装在同一块硅中介层上，每个HBM模块包含1024个IO和16个通道，借助PHY与XPU相连。这种“就近集成”的设计，让数据在内存与计算单元之间的传输路径大幅缩短。
HBM之所以重要，核心在于它能在更小的空间内提供更高的带宽和更大的容量。以典型方案对比，GDDR6可提供24GB容量和768GB/s带宽，而配备四个堆叠的HBM3E方案，不仅容量提升至144GB、带宽达到4TB/s，空间占用还能节省多达一半。对于寸土寸金、功耗敏感的数据中心和AI加速卡而言，这意味着更低的运营成本和更强的算力密度。
从路线图看，SK海力士当前把HBM4作为顶级产品：DRAM密度高达24Gb，单颗容量最高36GB，总计2048个IO位，IO速度最高8Gbps，带宽达到2048GB/s。随着堆叠层数增加和IO速度提升，传统2.5D封装在信号完整性、散热和良率等方面面临越来越大的挑战，这正推动行业向3D封装和更先进的混合键合等技术演进，也解释了SK海力士为何要与英特尔EMIB等方案结合。
在AI大模型训练与推理持续拉动算力需求的背景下，HBM已成为制约AI芯片性能的关键环节之一，其封装技术也由此从“配角”走向产业竞争的“焦点”。可以预见，围绕更高堆叠、更快带宽和更低功耗的争夺，仍将是未来一段时间内存行业的主旋律。
