光互连业绩爆发背后,上游“卡脖子”环节成关键挑战

2026年上半年,中国光模块及光器件上市公司集体爆发。中际旭创净利润136.51亿,新易盛75.29亿,剑桥科技3.28亿……但亮眼数据背后藏着隐忧。当前增长高度依赖海外供应,高端光芯片、高速电芯片、磷化铟衬底等关键环节仍被海外厂商垄断。
首页 新闻资讯 行业资讯 光通信 光互连业绩爆发背后,上游“卡脖子”环节成关键挑战

2026年上半年,中国光模块及光器件上市公司集体爆发。中际旭创净利润136.51亿,新易盛75.29亿,剑桥科技3.28亿……但亮眼数据背后藏着隐忧。当前增长高度依赖海外供应,高端光芯片、高速电芯片、磷化铟衬底等关键环节仍被海外厂商垄断。

光芯片是最大瓶颈。EML芯片在800G及1.6T光模块中技术壁垒最高,全球量产能力集中在Lumentum、Coherent等少数企业。国内虽在100G以下EML实现替代,但200G产品仍落后海外。大功率CW激光器和200G PD更是卡脖子,全球仅MACOM、Broadcom能稳定供货。

电芯片同样受制。DSP芯片需要7nm制程,目前由Marvell、Broadcom等主导。国内优迅股份虽实现100G电芯片替代,但200G产品仍处验证阶段。Driver芯片和TIA芯片也面临类似困境,国内企业产品带宽和性能尚未达到国际水平。

InP衬底作为基础材料,全球90%产能被日美企业把控。国内虽有云南锗业等企业推进,但产能仅从60-70万片增至75万片,缺口超70%。Lumentum高管直言,InP短缺程度已超DRAM和NAND,订单排期延伸至2028年。

国产替代进程能否提速,将直接影响产业链自主可控能力。当前窗口期至关重要,能否突破技术壁垒和产能瓶颈,决定未来光互连产业能否真正实现自主可控。