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三星台积电携手推进High NA EUV量产 2028年DRAM量产
ASML今日宣布与三星电子、台积电等企业达成合作，将共同推动High NA EUV光刻技术从6英寸掩膜向12英寸掩膜转型。这项技术升级旨在提升光刻机生产效率、降低制造成本，同时解决当前方案存在的“半场”拼接问题。
半导体制造 光刻技术 三星电子 台积电 芯片制程
1    2026-09-08
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