8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行AI存储器先进封装基地奠基仪式。这是韩国企业在美国建设的首个HBM生产据点，现场聚集了印第安纳州州长、参议员、普渡大学校长等政界人士，以及SK海力士CEO郭鲁正等高管。
该项目总投资超过40亿美元，工厂无尘室计划2028年10月完工，2029年下半年实现新一代HBM量产。建成后直接员工将超1000人，成为美国本土AI存储器供应链关键节点。工厂采用韩美联动模式，芯片在韩国制造后运抵美国完成封装测试，产出"美国制造"的HBM产品。
基地同步建设先进封装研发平台，方便与客户、合作伙伴联合开发新技术原型。目前已有超100家材料、设备供应商洽谈入驻，预计创造7000个就业岗位。SK海力士与普渡大学签署合作备忘录，将联合攻关HBM及下一代封装技术，后续计划拓展中西部高校合作。
郭鲁正表示，希望在美国汇聚客户资源、研发力量和产业生态，打造最值得信赖的半导体合作伙伴。HBM作为AI算力核心组件，海外本土封装基地的建成将显著提升SK海力士服务北美市场的能力。
这座工厂不仅是技术布局，更是产业生态的重塑。从芯片制造到封装测试，从研发合作到人才储备，SK海力士正在美国构建完整的AI存储器供应链。
