长鑫存储攻克漏电难题:高K金属栅极技术助其冲刺1a级节点
中国DRAM厂商长鑫存储近日宣布在DRAM晶体管中引入高K金属栅极技术。这项突破性进展不仅解决了制程微缩带来的漏电问题,更为向更先进的1a级节点演进铺平道路。据业内人士透露,该技术已开始应用于G4代DRAM制程及LPDDR5X产品。
华邦电子加速扩产应对AI需求 产能规划至2030年
全球利基型存储IDM龙头华邦电子近日宣布,提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产计划。原本分两期推进的二三期工程,将整合为Module B工厂同步开发。该厂预计2027年动工建设无尘室,最快2029年初进入装机阶段。